|
Banks內存庫（內存插槽的計量單位）
由CPU系統決定的內存的物理存儲體的數量。一個內存庫由一個或多個內存模塊組成。具有64位總綫的處理器要求數據寬度也是64位的才能被系統總綫傳輸。
Bank Schema存儲體規劃
一種圖解內存配置的方法。存儲體規劃由若干用來表示電腦主板上的內存插槽的行或列組成。行表示獨立的插槽；列代表bank數。
Bits位（比特）
比特是計算機數據的最小單位，也稱位。它只有兩個狀態，分別以1和0表示。
Bytes字節
八個連續的比特叫做一個字節。在大多數計算機系統中，一個字節為長度為八位的二進制數字。多數計算機用字節來表示字符，如：字母、數字或其它符號（如："g", "5",或"?"等)。字節也可包含一個比特串，被應用於較大的單元中。比如：組成一個程序的可見圖像的比特流或是組成計算機程序機器碼的比特串。
在某些計算機系統中，四個字節構成一個字（Word），來做為計算機處理器有效讀取並處理指令的單位。某些計算機處理器既可處理雙字節指令又可處理單字節指令。
字節用大寫的B表示（位用小寫b表示）。計算機的存儲量通常用字節的倍數來度量。如：一個256MB的硬盤包含256個“百萬字節”或是“兆字節”的數據。字節的倍數是2的指數倍，且通常是“取整”的十進制數字。如：1兆字節（1百萬字節）等於1048576（十進制）字節。 （不過某些內存生產商和字典認為計算機的內存應該以十的倍數來計量，這樣1兆字節就是十進制準確的1百萬個字節
CAS列地址選通脈衝
列地址選通脈衝：在內存的尋址中，鎖定數據地址需要提供行地址和列地址，行地址的選通由RAS控制，列地址的選通由CAS決定。
CAS Latency內存CAS延遲時間
在計算機系統中，CL反應時間指的是內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令後的反應速度。造成其產生的因素包括：微處理器與輸入/輸出設備間數據速率的不匹配及數據緩衝器的不足。
DDR雙倍數據速率
雙倍數據速率(DDR)在計算機工業中被廣泛採用，它是SDRAM的加強版。 SDRAM只利用時鐘脈衝的上升沿來傳輸數據，而DDR在時鐘信號的上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速率為SDRAM的兩倍。如若SDRAM的數據速率為133MHz，則相應的DDR的傳輸速率則為266MHz。
Double Data Rate 2 (DDR2) memory DDR2内存
DDR2（Double Data Rate 2）內存是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總綫的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制總綫4倍的速度運行。
UNIGEN提供UGExD6646JL/R系列Micro DIMM DDR內存模塊，可滿足小體積、高速CPU設備的要求。這一172pin模塊為PC1600至PC3200的應用提供64M或128M字節的無緩衝存儲空間，CAS延遲時間為2.0，2.5和3.0。
DIMM雙列直插內存模塊
Dual In-line Memory Modules (DIMM)雙列直插內存模塊是嵌入式內存模塊的發展方向。在尺寸與形狀上它與SIMM相當類似，不同的只是DIMM電路板正反面針腳是各自獨立的。而SIMM是互通的。
DIMM採用SRAM、SDRAM或Nand Flash RAM等內存，這些內存與CPU時鐘同步，從而節省了訪問內存的時間，提高了命令執行及數據傳輸的效率，並最終提高了系統的性能。
DIMM主要有兩大優點：易於安裝；由於其垂直嵌入的能力使得電路板的面積最小化。一個DIMM內存模塊能夠只有100或232個針腳。與SIMM相比，PCB板的雙面接觸使DIMM的電子連接多了一倍。
µDIMM微雙列直插內存模塊
微雙列直插內存模塊(µDIMM)被用於要求空間小而速度高的CPU設備上。與DIMM類似，但在高度上和寬度上都要比SODIMM和DIMM模塊要短和窄。
µDIMM採用SRAM、SDRAM或Nand Flash RAM等內存，這些內存與CPU時鐘同步，從而節省了訪問內存的時間，提高了命令執行及數據傳輸的效率，並最終提高了系統的性能。
DRAM動態隨機存儲器
動態隨機存儲器是目前個人電腦與工作站上普遍採用的隨機存儲器（RAM）。內存是一個不斷充放電的點的集合，可快速訪問的數據以0和1的形式暫時存放在計算機中。而隨機訪問的意思就是PC處理器可以直接從存儲空間的任意位置訪問數據，而不管前一次訪問的是什麼位置。 DRAM動態與靜態RAM（SRAM）不同，需要每過幾個毫秒就要刷新或重新充電一下。靜態RAM不需刷新，是因為它的工作原理是轉換電流方向，而不是將電荷保持在某個存儲單元中。靜態RAM通常用於高速緩衝存儲器，它具有比DRAM快的訪問速度。
DRAM將每一個比特存儲於一個由電容和晶體管組成的存儲單元內。電容會很快漏電，所以需要充電。現在的計算機還有另外幾種RAM：EDO/FPM及SDRAM。
ECC錯誤檢查和糾正
錯誤檢查和糾正：ECC（“error correction [or correcting] code”錯誤更正碼/糾錯碼或“error checking and correcting ”錯誤檢查和糾正）在數據讀取與傳輸時被檢查，並在動態生成必要時加以改正。它不同於奇偶校驗檢查，它不僅能檢測出多位數據錯誤，同時還可以指定出錯的數位並改正。 ECC內存隨著數據速率（同時錯誤率）的提高越來越多地被設計到數據存儲與傳輸硬件中。
EDO擴展數據輸出內存
擴展數據輸出內存：EDO RAM是一種動態隨機存儲（RAM）芯片，它縮短了從高速微處理器的內存（如：Intel Pentium）上讀取數據的時間。 EDO縮短了內存與中央處理器之間的讀取周期，極大地提高了產量。 EDO芯片使得中央處理器訪問內存的速度提高了10%到20%。傳統的DRAM在存取每一bit數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間後，然後才能讀寫有效的數據，而下一個bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。 EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規定的有效時間一到就可以準備輸出下一個地址，由此縮短了存取時間。因此EDO能使中央處理器更有效地提高速度。
EEPROM電可擦可編程只讀存儲器
電可擦可編程只讀存儲器：用戶在比普通電壓稍高的情況下可反复擦除及重新編程的只讀存儲器。與EPROM不同，EEPROM不需要先從計算機中拿出來再進行更改。不過EEPROM必須全部擦除或全部重新編程，而不能只是選擇性地對局部進行操作。而且它還有使用壽命，只可反复編程數万次到數十萬次。計算機在使用中EEPROM需頻繁地重編程，EEPROM的使用壽命將是設計中主要的考慮因素。
EPROM可擦可編程只讀存儲器
可擦可編程只讀存儲器：EPROM是一種可以擦除及重新使用的可編程只讀存儲器。擦除是通過對設計在存儲器芯片中的窗口進行強烈的紫外綫照射完成的。
SIMM單列直插內存模塊
單列直插內存模塊（SIMM）是標準的嵌入式內存模塊，是一塊裝有若干DRAM和“金手指”的電路板。 SIMM插在計算機內存擴展槽上。
SIMM採用SRAM、SDRAM或Nand Flash RAM等內存，這些內存與CPU時鐘同步，從而節省了訪問內存的時間，提高了命令執行及數據傳輸的效率，並最終提高了系統的性能。
SIMM主要有兩大優點：易於安裝；由於其垂直嵌入的能力使得電路板的面積最小化。一個SIMM內存模塊能夠只有30或200個針腳。在SIMM上，電路板兩側的金手指是相通的。
SODIMM
SODIMM是標準DIMM的縮小版本，在其它方面都與DIMM類似，只是長度只有DIMM的一半左右。
SODIMM通常有72、144或200pin引腳。
SODIMM採用SRAM、SDRAM或Nand Flash RAM等內存，這些內存與CPU時鐘同步，從而節省了訪問內存的時間，提高了命令執行及數據傳輸的效率，並最終提高了系統的性能。 |
