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Banks内存库（内存插槽的计量单位）
由CPU系统决定的内存的物理存储体的数量。一个内存库由一个或多个内存模块组成。具有64位总线的处理器要求数据宽度也是64位的才能被系统总线传输。
Bank Schema存储体规划
一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。
Bits位（比特）
比特是计算机数据的最小单位，也称位。它只有两个状态，分别以1 和0 表示。
Bytes字节
八个连续的比特叫做一个字节。在大多数计算机系统中，一个字节为长度为八位的二进制数字。多数计算机用字节来表示字符，如：字母、数字或其它符号（如："g", "5", 或 "?"等)。字节也可包含一个比特串，被应用于较大的单元中。比如：组成一个程序的可见图象的比特流或是组成计算机程序机器码的比特串。
在某些计算机系统中，四个字节构成一个字（Word），来做为计算机处理器有效读取并处理指令的单位。某些计算机处理器既可处理双字节指令又可处理单字节指令。
字节用大写的B表示（位用小写b表示）。计算机的存储量通常用字节的倍数来度量。如：一个256MB的硬盘包含256个“百万字节”或是“兆字节”的数据。字节的倍数是2的指数倍，且通常是“取整”的十进制数字。如：1兆字节（1百万字节）等于1,048,576（十进制）字节。（不过某些内存生产商和字典认为计算机的内存应该以十的倍数来计量，这样1兆字节就是十进制准确的1百万个字节
CAS列地址选通脉冲
列地址选通脉冲：在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。
CAS Latency内存CAS延迟时间
在计算机系统中，CL反应时间指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。造成其产生的因素包括：微处理器与输入/输出设备间数据速率的不匹配及数据缓冲器的不足。
DDR双倍数据速率
双倍数据速率 (DDR)在计算机工业中被广泛采用，它是SDRAM的加强版。SDRAM只利用时钟脉冲的上升沿来传输数据，而DDR在时钟信号的上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为SDRAM的两倍。如若SDRAM的数据速率为133MHz，则相应的DDR的传输速率则为266MHz。
Double Data Rate 2 (DDR2) memory DDR2内存
DDR2（Double Data Rate 2）内存是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
UNIGEN提供UGExD6646JL/R系列Micro DIMM DDR内存模块，可满足小体积、高速CPU设备的要求。这一172pin模块为PC1600至PC3200的应用提供64M或128M字节的无缓冲存储空间，CAS延迟时间为2.0，2.5和3.0。
DIMM双列直插内存模块
Dual In-line Memory Modules (DIMM)双列直插内存模块是嵌入式内存模块的发展方向。在尺寸与形状上它与SIMM相当类似，不同的只是DIMM电路板正反面针脚是各自独立的。而SIMM是互通的。
DIMM采用SRAM、SDRAM或Nand Flash RAM等内存，这些内存与CPU时钟同步，从而节省了访问内存的时间，提高了命令执行及数据传输的效率，并最终提高了系统的性能。
DIMM主要有两大优点：易于安装；由于其垂直嵌入的能力使得电路板的面积最小化。一个DIMM内存模块能够只有100或232个针脚。与SIMM相比，PCB板的双面接触使DIMM的电子连接多了一倍。
µDIMM微双列直插内存模块
微双列直插内存模块(µDIMM)被用于要求空间小而速度高的CPU设备上。与DIMM类似，但在高度上和宽度上都要比SODIMM和DIMM模块要短和窄。
µDIMM采用SRAM、SDRAM或Nand Flash RAM等内存，这些内存与CPU时钟同步，从而节省了访问内存的时间，提高了命令执行及数据传输的效率，并最终提高了系统的性能。
DRAM动态随机存储器
动态随机存储器是目前个人电脑与工作站上普遍采用的随机存储器（RAM）。内存是一个不断充放电的点的集合，可快速访问的数据以0和1的形式暂时存放在计算机中。而随机访问的意思就是PC处理器可以直接从存储空间的任意位置访问数据，而不管前一次访问的是什么位置。DRAM动态与静态RAM（SRAM）不同，需要每过几个毫秒就要刷新或重新充电一下。静态RAM不需刷新，是因为它的工作原理是转换电流方向，而不是将电荷保持在某个存储单元中。静态RAM通常用于高速缓冲存储器，它具有比DRAM快的访问速度。
DRAM将每一个比特存储于一个由电容和晶体管组成的存储单元内。电容会很快漏电，所以需要充电。现在的计算机还有另外几种RAM：EDO/FPM及SDRAM。
ECC错误检查和纠正
错误检查和纠正：ECC（“error correction [or correcting] code”错误更正码/纠错码或“error checking and correcting ”错误检查和纠正）在数据读取与传输时被检查，并在动态生成必要时加以改正。它不同于奇偶校验检查，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。ECC内存随着数据速率（同时错误率）的提高越来越多地被设计到数据存储与传输硬件中。
EDO扩展数据输出内存
扩展数据输出内存：EDO RAM是一种动态随机存储（RAM）芯片，它缩短了从高速微处理器的内存（如：Intel Pentium）上读取数据的时间。EDO缩短了内存与中央处理器之间的读取周期，极大地提高了产量。EDO芯片使得中央处理器访问内存的速度提高了10%到20%。传统的DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了存取时间。因此EDO能使中央处理器更有效地提高速度。
EEPROM电可擦可编程只读存储器
电可擦可编程只读存储器：用户在比普通电压稍高的情况下可反复擦除及重新编程的只读存储器。与EPROM不同，EEPROM不需要先从计算机中拿出来再进行更改。不过EEPROM必须全部擦除或全部重新编程，而不能只是选择性地对局部进行操作。而且它还有使用寿命，只可反复编程数万次到数十万次。计算机在使用中EEPROM需频繁地重编程，EEPROM的使用寿命将是设计中主要的考虑因素。
EPROM可擦可编程只读存储器
可擦可编程只读存储器：EPROM是一种可以擦除及重新使用的可编程只读存储器。擦除是通过对设计在存储器芯片中的窗口进行强烈的紫外线照射完成的。
SIMM单列直插内存模块
单列直插内存模块（SIMM）是标准的嵌入式内存模块，是一块装有若干DRAM和“金手指”的电路板。SIMM插在计算机内存扩展槽上。
SIMM采用SRAM、SDRAM或Nand Flash RAM等内存，这些内存与CPU时钟同步，从而节省了访问内存的时间，提高了命令执行及数据传输的效率，并最终提高了系统的性能。
SIMM主要有两大优点：易于安装；由于其垂直嵌入的能力使得电路板的面积最小化。一个SIMM内存模块能够只有30或200个针脚。在SIMM上，电路板两侧的金手指是相通的。
SODIMM
SODIMM是标准DIMM的缩小版本，在其它方面都与DIMM类似，只是长度只有DIMM的一半左右。
SODIMM通常有72、144或200pin引脚。
SODIMM采用SRAM、SDRAM或Nand Flash RAM等内存，这些内存与CPU时钟同步，从而节省了访问内存的时间，提高了命令执行及数据传输的效率，并最终提高了系统的性能。 |
